Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 381 A, PG-WSON-8, 表面安装, 8引脚, BSC007N04LS6SCATMA1, OptiMOS系列

暂时无法供应
抱歉,我们不知道何时会有货
包装方式:
RS 库存编号:
284-635
制造商零件编号:
BSC007N04LS6SCATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

381A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PG-WSON-8

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±20 V

正向电压 Vf

1V

最大功耗 Pd

188W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

英飞凌 MOSFET 是一种功率晶体管,适用于要求高效率和高可靠性的高性能应用。它采用双侧冷却封装,拥有最低的结顶热阻,实现了出色的散热性能。N 沟道设计可确保在同步应用中实现最佳性能,是现代电源管理系统的理想选择。采用无铅电镀,符合 RoHS 规范。此外,其高雪崩等级确保了在苛刻条件下的稳定性,而高达 175 °C 的额定工作温度则提高了其在各种环境下的可用性。

同步应用的无缝集成

符合 JEDEC 工业应用标准

先进的热管理提高了耐用性

出色的抗磨损性能,提高效率

可靠地处理高雪崩能量

支持无卤素和环保设计