Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 89 A, PG-WSON-8, 表面安装, 8引脚, BSC093N15NS5SCATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-644
- 制造商零件编号:
- BSC093N15NS5SCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- BSC093N15NS5SCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 89A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-WSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 167W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 89A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-WSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 167W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 OptiMOS 功率 MOSFET 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，专为要求最佳效率的苛刻应用而设计。工作电压高达 150 V，具有出色的散热性能。它采用双侧冷却技术，具有出色的热阻，因此即使在严峻的条件下也能确保可靠运行。创新设计元素的集成降低了电阻，提高了电源管理系统的整体效率。它是工业应用的理想之选，坚固的结构保证了其使用寿命和可靠的性能。
用于热管理的双侧冷却封装
出色的功率效率，适合高频率使用
工作温度范围广，可靠性高
低电阻可提高能效
开关速度快，适用于高级电源应用
符合 JEDEC 行业标准