制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=77 A, 8针, PG-WSON-8, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 284-648
制造商零件编号:: BSC110N15NS5SCATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=77 A, 8针, PG-WSON-8, OptiMOS系列

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单位	每单位	每包*
2 - 18	RMB33.735	RMB67.47
20 - 198	RMB30.39	RMB60.78
200 - 998	RMB27.975	RMB55.95
1000 - 1998	RMB25.975	RMB51.95
2000 +	RMB23.28	RMB46.56

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RS 库存编号:: 284-648
制造商零件编号:: BSC110N15NS5SCATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	77A
	最大漏源电压 Vd	150V
	包装类型	PG-WSON-8
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	11mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	150W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS Compliant
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 77A
	最大漏源电压 Vd 150V
	包装类型 PG-WSON-8
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 11mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 150W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS Compliant
	汽车标准否

Datasheet - BSC110N15NS5SCATMA1

英飞凌 OptiMOS 功率 MOSFET 堪称 MOSFET 技术领域的性能巅峰。它专为要求苛刻的工业应用而设计，具有卓越的效率和可靠性，是高频开关和同步整流的理想选择。该器件采用创新的双侧冷却技术，工作温度最高可达 175°C，即使在巨大的热应力下也能确保稳健运行。先进材料的注入进一步增强了其热稳定性和可靠性，确保其符合最严格的行业标准。这款 MOSFET 通过了 JEDEC 标准的全面验证，专为追求卓越的电力电子工程师量身定制。

出色的耐热性能确保可靠性

N 通道设计实现多功能开关

精简包装，节省空间

工业应用性能合格

针对高频技术设计进行了优化

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=77 A, 8针, PG-WSON-8, OptiMOS系列

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