Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 77 A, PG-WSON-8, 表面安装, 8引脚, BSC110N15NS5SCATMA1, OptiMOS系列

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RS 库存编号:
284-648P
制造商零件编号:
BSC110N15NS5SCATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

77A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

OptiMOS

包装类型

PG-WSON-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

11mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

150W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

英飞凌 OptiMOS 功率 MOSFET 堪称 MOSFET 技术领域的性能巅峰。它专为要求苛刻的工业应用而设计,具有卓越的效率和可靠性,是高频开关和同步整流的理想选择。该器件采用创新的双侧冷却技术,工作温度最高可达 175°C,即使在巨大的热应力下也能确保稳健运行。先进材料的注入进一步增强了其热稳定性和可靠性,确保其符合最严格的行业标准。这款 MOSFET 通过了 JEDEC 标准的全面验证,专为追求卓越的电力电子工程师量身定制。

出色的耐热性能确保可靠性

N 通道设计实现多功能开关

精简包装,节省空间

工业应用性能合格

针对高频技术设计进行了优化