Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 314 A, PG-HSOF-8-1, 表面安装, 8引脚, IAUTN12S5N017ATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-667
- 制造商零件编号:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- 制造商:
- Infineon
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 284-667
- 制造商零件编号:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 314A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8-1 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 358W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 314A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
包装类型 PG-HSOF-8-1 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 358W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 OptiMOS 5 汽车功率 MOSFET 专为在要求苛刻的应用中实现稳健的性能而设计。它采用 OptiMOS 5 技术，具有出色的效率和可靠性，是汽车电源管理解决方案的理想选择。其 N 信道增强模式结构可提供高级功能，同时符合严格的行业标准。这款功率晶体管专为承受极端条件而设计，可确保在高达 175°C 的温度条件下正常工作，并通过了 AEC Q101 以上的扩展认证。
针对汽车兼容性进行了优化
强化测试确保性能可靠
采用先进热管理的坚固设计
MSL1 等级支持 260°C 峰值回流焊
符合 RoHS 标准，有利于环保
雪崩测试证实了瞬态恢复能力