Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 331 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT017N12NM6ATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-688
- 制造商零件编号:
- IPT017N12NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IPT017N12NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 331A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 395W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 331A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 395W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 6 功率晶体管，为半导体行业的性能设定了新基准。该产品专为实现高效率和出色的热管理而设计，在要求苛刻的应用中表现出色。它的设计坚固耐用，支持 120 伏电压，专为高频开关量身定制，在提供可靠性和速度的同时不会降低能效。N 沟道 MOSFET 集成了极低的导通电阻和最小的栅极电荷，使其成为工业环境中电源转换和控制的理想解决方案。其先进的工程设计确保符合 RoHS 和其他环保标准，是现代电子产品的可持续发展和性能驱动之选。
针对高频性能进行了优化
出色的热效率确保可靠性
低电阻可减少能量损失
快速闸门充电，实现快速操作
工业性能合格
符合环保要求，实现可持续发展
安全处理高雪崩能量
宽工作温度范围