Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 454 A, PG-HDSOP-16, 表面安装, 16引脚, IPTC007N06NM5ATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-691P
- 制造商零件编号:
- IPTC007N06NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 198 | RMB38.69 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-691P
- 制造商零件编号:
- IPTC007N06NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 454A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-16 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.75mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 454A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-HDSOP-16 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 16 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.75mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 5 功率晶体管，专为电机驱动和电池供电系统中的高性能应用而设计。该器件具有坚固耐用的 60V 额定电压和出色的散热性能，可确保在苛刻环境下的可靠性。这款晶体管具有针对顶部冷却进行优化的特性，可提供大电流能力，同时在严格的运行标准下保持高效率。它完全符合 JEDEC 工业应用标准，超过了 100% 的雪崩测试标准，保证了对意外情况的应变能力。PG HDSOP 16 封装设计不仅增强了冷却效果，还有助于在各种设计中实现空间高效集成。
针对高效电机驱动进行了优化
N 通道设计，便于集成
无铅电镀符合环保标准
无卤素，生命周期管理更安全
额定温度为 175°C，可靠性更高
100% 安全雪崩测试
卓越的热管理延长了使用寿命
与行业标准包装兼容