Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 331 A, PG-HDSOP-16, 表面安装, 16引脚, IPTC017N12NM6ATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-694P
- 制造商零件编号:
- IPTC017N12NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 284-694P
- 制造商零件编号:
- IPTC017N12NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 331A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-16 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 395W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 331A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-HDSOP-16 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 16 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 395W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 6 功率晶体管，专为在高频开关应用中实现卓越性能而设计。这款 MOSFET 晶体管设计坚固，采用 N 沟道配置，可确保最小的导通电阻和优化的栅极电荷特性，是现代电子电路的理想之选。其高雪崩能量等级和高达 175°C 的宽工作温度范围进一步提高了各种工业应用的可靠性。该产品采用 PG HDSOP 16 封装，集紧凑尺寸和高散热性能于一身，是在苛刻环境中寻求可靠、高效电源管理解决方案的工程师的重要选择。
N 通道配置实现卓越控制
电阻极低，可减少能量损失
优化栅极电荷，加快开关速度
高雪崩能量增强电路稳健性
高温条件下运行可靠
紧凑型 PG HDSOP 16 封装可最大限度地利用空间
无铅电镀实现环保设计
无卤素促进电子产品的可持续发展