Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 510 A, PG-HSOF-8-1, 表面安装, 8引脚, IAUTN06S5N008ATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-698
- 制造商零件编号:
- IAUTN06S5N008ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 284-698
- 制造商零件编号:
- IAUTN06S5N008ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 510A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8-1 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.76mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 358W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 510A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PG-HSOF-8-1 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.76mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 358W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 OptiMOS 5 汽车功率 MOSFET 专为汽车领域的高性能应用而设计，具有卓越的效率和可靠性。该器件设计为坚固耐用的 N 信道增强模式设备，可通过符合严格行业标准的增强型电气测试确保卓越的功能。这款创新型组件在汽车电源管理领域独占鳌头，设计紧凑，可无缝集成到各种汽车系统中。它的工作温度范围宽广，符合 AEC Q101 标准，即使在严峻的环境条件下也能确保性能稳定。
坚固的设计增强了可靠性
超过行业标准资格
热量管理的有效热阻
100% 的雪崩测试确保耐用性
符合 RoHS 标准，可用于环保用途
可处理较高的连续漏极电流
用于快速开关的先进栅极电荷