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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	504 A
	最大漏源电压	60 V
	封装类型	PG-HSOG-8-1
	系列	OptiMOS
	安装类型	贴片
	引脚数目	8
	通道模式	增强
	每片芯片元件数目	1
	晶体管材料	SiC

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 504 A
	最大漏源电压 60 V
	封装类型 PG-HSOG-8-1
	系列 OptiMOS
	安装类型贴片
	引脚数目 8
	通道模式增强
	每片芯片元件数目 1
	晶体管材料 SiC

Datasheet - IAUTN06S5N008GATMA1

英飞凌 OptiMOS 5 汽车功率 MOSFET 专为在要求苛刻的汽车应用中实现最佳性能而设计。OptiMOS 5 系列展示了创新的设计和坚固的结构，可确保在各种汽车应用场景中的可靠性和效率。凭借先进的电气测试和出色的工作温度范围，该元件在对性能要求极高的环境中表现出色。它的设计注重质量，超过了 AEC Q101 标准，让制造商和最终用户放心使用。无论是集成到电动汽车还是传统汽车设计中，这款 MOSFET 都能提供现代汽车技术所需的可靠性和稳定性。

汽车专用设计确保兼容性
低导通电阻可提高效率
可承受极端温度，确保可靠性
MSL1 等级支持 260°C 峰值回流焊
100% 经过雪崩测试，确保安全
扩展的资质确保卓越的质量
紧凑型 PG HSOG 8 1 包装，节省空间

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 504 A, PG-HSOG-8-1, 贴片安装, 8引脚, OptiMOS系列