Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 503 A, PG-HDSOP-16-1, 表面安装, 16引脚, IAUTN06S5N008TATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-705
- 制造商零件编号:
- IAUTN06S5N008TATMA1
- 制造商:
- Infineon
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 284-705
- 制造商零件编号:
- IAUTN06S5N008TATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 503A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-16-1 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.79mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 358W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 503A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PG-HDSOP-16-1 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 16 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.79mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 358W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 OptiMOS 5 汽车功率 MOSFET 专为满足现代汽车应用的严格要求而设计，具有高可靠性和高效率。这款功率晶体管采用先进技术设计，在优化热特性的同时，还能提供卓越的性能。其坚固耐用的设计可确保在较宽的温度范围内稳定运行，是各种汽车应用的理想选择。它符合 AEC Q101 等行业标准，标志着其质量和性能的提升，是需要高电流处理的汽车电路的理想之选。该设备将高效率封装在紧凑的封装中，并通过大量的电气测试和验证确保可靠性。
N 通道增强模式，实现高效切换
扩展资质提高汽车可靠性
高耐热性，在压力下经久耐用
经过雪崩测试，性能稳定
MSL1 等级支持 260°C 峰值回流焊
100% 电气特性鉴定确保一致性