Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 120 A, PG-HDSOP-16-1, 表面安装, 16引脚, IAUTN12S5N018TATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-711P
- 制造商零件编号:
- IAUTN12S5N018TATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 284-711P
- 制造商零件编号:
- IAUTN12S5N018TATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-16-1 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 358W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-HDSOP-16-1 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 16 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 358W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 OptiMOS 5 汽车功率 MOSFET 为汽车应用提供卓越的性能和可靠性。这款功率晶体管采用 N 沟道增强模式设计，可满足汽车行业的严格要求，确保卓越的效率和强大的功能。该产品通过了超越 AEC Q101 的扩展认证，经过了强化电气测试，即使在恶劣环境下也能保证耐用性。该设备支持宽泛的工作温度范围，适用于各种汽车环境。该 MOSFET 具有低导通电阻和高持续漏极电流能力，是执行苛刻电源管理任务的理想选择，可确保车辆性能不受影响。
专为符合汽车标准而设计
坚固耐用，可应对恶劣环境
加强可靠性测试
卓越的热性能
效率高，损耗小
雪崩瞬态能量额定值
MSL1 等级最高可达 260°C
先进的栅极电荷实现高效开关