Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 196 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IMT65R022M1HXUMA1, CoolSiC MOSFET 650 V G1系列
- RS 库存编号:
- 284-714
- 制造商零件编号:
- IMT65R022M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IMT65R022M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 196A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 系列 | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 30mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 196A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
系列 CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 30mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 CoolSiC MOSFET 650 V G1 采用最先进的碳化硅技术，提高了性能和可靠性，是电力电子技术的重大进步。这种创新型器件具有优化的开关特性，可在要求苛刻的应用中实现高效率。它在具有挑战性的环境中表现出色，具有优于传统硅器件的耐热性和可靠性。它的多功能性使其能够无缝集成到各种系统中，包括电信、可再生能源和电动汽车充电。它专为卓越的热管理而设计，可确保长期性能，同时减少整个系统的占用空间。CoolSiC MOSFET 是现代电源转换的理想解决方案，有助于实现高能效和紧凑型设计。
优化开关，提高系统效率
与标准驱动程序配置兼容
适用于高温环境
利用开尔文源降低开关损耗
可靠的快速体二极管设计
支持硬换向拓扑
提高效率，降低成本
符合 JEDEC 标准