Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 71 A, PG-HSOF-8, 贴片安装, 8引脚, CoolSiC MOSFET 650 V G1系列
- RS 库存编号:
- 284-715
- 制造商零件编号:
- IMT65R030M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 2000 件）*
¥198,968.00
(不含税)
¥224,834.00
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB99.484 | RMB198,968.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-715
- 制造商零件编号:
- IMT65R030M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 71 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| 封装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 71 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
封装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 SiC | ||
英飞凌 CoolSiC MOSFET 650 V G1 专为满足高性能应用的现代需求而设计，以紧凑的封装提供稳健的解决方案。这款半导体器件采用最先进的固体碳化硅技术设计，兼具卓越的可靠性和效率，是太阳能逆变器、电动汽车充电基础设施和不间断电源等广泛应用的理想之选。它注重简便性和成本效益，在提高系统性能的同时，还能确保卓越的热稳定性，以应对严峻的环境。该设备不仅能保证性能，还能无缝集成到各种设计中，重新定义了电源管理的可能性。
优化开关提高运行效率
坚固的体二极管支持高级应用
极端条件下的卓越热性能
开尔文源可降低开关损耗
高雪崩能力确保系统耐用性
与标准驱动程序兼容，易于集成
紧凑型设计提高了功率密度
坚固的体二极管支持高级应用
极端条件下的卓越热性能
开尔文源可降低开关损耗
高雪崩能力确保系统耐用性
与标准驱动程序兼容，易于集成
紧凑型设计提高了功率密度