Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 142 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IMT65R030M1HXUMA1, CoolSiC MOSFET 650 V G1系列
- RS 库存编号:
- 284-717P
- 制造商零件编号:
- IMT65R030M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- IMT65R030M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 142A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 42mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 最大功耗 Pd | 294W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 142A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 42mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
最大功耗 Pd 294W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 CoolSiC MOSFET 650 V G1 专为满足高性能应用的现代需求而设计，以紧凑的封装提供稳健的解决方案。这款半导体器件采用最先进的固体碳化硅技术设计，兼具卓越的可靠性和效率，是太阳能逆变器、电动汽车充电基础设施和不间断电源等广泛应用的理想之选。它注重简便性和成本效益，在提高系统性能的同时，还能确保卓越的热稳定性，以应对严峻的环境。该设备不仅能保证性能，还能无缝集成到各种设计中，重新定义了电源管理的可能性。
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