Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 61 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IMT65R039M1HXUMA1, CoolSiC MOSFET 650 V G1系列
- RS 库存编号:
- 284-720
- 制造商零件编号:
- IMT65R039M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IMT65R039M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 61A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 系列 | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 51mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 263W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 61A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
系列 CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 51mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 263W | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 CoolSiC MOSFET 650 V G1 是一款开创性的功率器件，利用碳化硅技术的先进特性提供了卓越的性能。这款 MOSFET 专为实现高效率和高可靠性而设计，在要求出色热稳定性和苛刻条件下更高性能的应用中表现出色。凭借创新的栅极氧化物结构和出色的开关性能，它能显著降低大电流下的损耗，确保在各种电气环境中的使用寿命和安全性。CoolSiC MOSFET 非常适合电源系统、电动汽车充电基础设施和可再生能源解决方案等应用，是满足现代电力电子器件苛刻要求的多功能解决方案。该设备是 20 多年卓越工程技术的见证，为下一代能源解决方案奠定了坚实的基础。
优化开关提高性能
坚固的体二极管确保可靠的换向
出色的热管理延长了使用寿命
在高温条件下高效运行
与标准驱动程序无缝集成
开尔文源可降低开关损耗
符合 JEDEC 可靠性标准
用途广泛，可提高设计的功率密度