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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	50A
	最大漏源电压	650 V
	封装类型	PG-HSOF-8
	系列	CoolSiC MOSFET 650 V G1
	安装类型	贴片
	引脚数目	8
	通道模式	增强
	晶体管材料	SiC
	每片芯片元件数目	1

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 50A
	最大漏源电压 650 V
	封装类型 PG-HSOF-8
	系列 CoolSiC MOSFET 650 V G1
	安装类型贴片
	引脚数目 8
	通道模式增强
	晶体管材料 SiC
	每片芯片元件数目 1

Datasheet - IMT65R048M1HXUMA1

英飞凌 CoolSiC MOSFET 650V G1 是半导体技术创新的缩影。这款高性能器件采用了坚固耐用的碳化硅技术，优化了效率和可靠性，适用于需要卓越热性能和稳定性的应用。它专为苛刻的环境而设计，在简化系统设计的同时，还能在高温环境中运行。凭借其先进的功能，该 MOSFET 可确保用户实现出色的功率密度并节省空间，是电动汽车充电基础设施、太阳能逆变器和高效电源等一系列应用的理想选择。CoolSiC MOSFET 650V G1 不仅仅是一个元件

它体现了对性能和可靠性的承诺，是现代电子解决方案的完美选择。

针对高频应用进行了优化
针对恶劣环境的强大散热性能
增强可靠性，延长使用寿命
开关损耗低，效率更高
设计紧凑，减少了系统占用空间
业界领先的雪崩容错能力
与标准驱动程序的集成方便用户使用

单位	每单位
1 - 9	RMB98.26
10 - 99	RMB88.43
100 +	RMB81.53

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 50A, PG-HSOF-8, 贴片安装, 8引脚, CoolSiC MOSFET 650 V G1系列