Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 50 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IMT65R048M1HXUMA1, CoolSiC MOSFET 650 V G1系列
- RS 库存编号:
- 284-723P
- 制造商零件编号:
- IMT65R048M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 284-723P
- 制造商零件编号:
- IMT65R048M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 64mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 33nC | |
| 最大功耗 Pd | 227W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 64mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC | ||
最大功耗 Pd 227W | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 CoolSiC MOSFET 650V G1 是半导体技术创新的缩影。这款高性能器件采用了坚固耐用的碳化硅技术，优化了效率和可靠性，适用于需要卓越热性能和稳定性的应用。它专为苛刻的环境而设计，在简化系统设计的同时，还能在高温环境中运行。凭借其先进的功能，该 MOSFET 可确保用户实现出色的功率密度并节省空间，是电动汽车充电基础设施、太阳能逆变器和高效电源等一系列应用的理想选择。CoolSiC MOSFET 650V G1 不仅仅是一个元件; 它体现了对性能和可靠性的承诺，是现代电子解决方案的完美选择。
针对高频应用进行了优化
针对恶劣环境的强大散热性能
增强可靠性，延长使用寿命
开关损耗低，效率更高
设计紧凑，减少了系统占用空间
业界领先的雪崩容错能力
与标准驱动程序的集成方便用户使用