Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 44 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IMT65R057M1HXUMA1, CoolSiC MOSFET 650 V G1系列
- RS 库存编号:
- 284-726P
- 制造商零件编号:
- IMT65R057M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-726P
- 制造商零件编号:
- IMT65R057M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 44A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 最大功耗 Pd | 203W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 44A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
最大功耗 Pd 203W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 CoolSiC MOSFET 650 V G1 展示了先进的碳化硅技术，其精心设计可在要求苛刻的应用中实现高性能和高可靠性。这款 MOSFET 经过二十多年的优化，具有卓越的效率和易用性，是太阳能逆变器和电动汽车充电系统等各种应用的理想选择。其强大的功能可确保在高温环境下可靠运行，为更紧凑、更高效的电源设计铺平了道路。该产品采用快速本体二极管和卓越的栅极氧化物可靠性，在同类产品中脱颖而出，在性能和用户友好性之间实现了独特的平衡。这款 MOSFET 非常适合在电源电路中追求卓越的工程师，它体现了创新性和可靠性，为行业树立了新的标杆。
针对大电流开关进行了优化
增强雪崩能力，提高稳健性
与标准驱动程序兼容，具有灵活性
开尔文源配置可降低开关损耗
高性能与高可靠性的完美结合
连续硬换向的理想选择
紧凑的设计提高了功率密度
符合 JEDEC 标准的工业应用要求