Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 59 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IMT65R083M1HXUMA1, CoolSiC MOSFET 650 V G1系列
- RS 库存编号:
- 284-730
- 制造商零件编号:
- IMT65R083M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IMT65R083M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 59A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 系列 | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 111mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 158W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 59A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
系列 CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 111mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 158W | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 650 V CoolSiC MOSFET 采用最先进的碳化硅技术，可为要求苛刻的应用提供无与伦比的效率和可靠性。这种新一代元件旨在优化各种高温和挑战性工作环境下的性能。其创新设计历经 20 多年的改进，毫不费力地将高运行可靠性与用户友好型集成相结合。功率密度的提高和系统尺寸的缩小，使其成为太阳能逆变器、电动汽车充电基础设施和储能解决方案等应用的理想选择，并可在供电系统中无缝实施。
优化开关行为，提高效率
坚固的体二极管确保可靠的换向
专为高温作业而设计
简化与现有电路的集成
卓越的散热性能，适用于苛刻的环境
卓越的雪崩能力确保系统安全
显著降低开关损耗
高功率密度应用的理想选择