Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 149 A, PG-HDSOP-22, 表面安装, 22引脚, IPDQ60R015CFD7XTMA1, 600V CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-735P
- 制造商零件编号:
- IPDQ60R015CFD7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥2,170.50
(不含税)
¥2,452.70
(含税)
有库存
- 另外 95 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB217.05 |
| 100 + | RMB200.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-735P
- 制造商零件编号:
- IPDQ60R015CFD7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 149A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | 600V CoolMOS | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-22 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 22 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 657W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 251nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 149A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 600V CoolMOS | ||
包装类型 PG-HDSOP-22 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 22 | ||
最大漏源电阻 Rd 15mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 657W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 251nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 600V CoolMOS CFD7 功率晶体管，专为高压电源应用而设计，具有无与伦比的效率和可靠性。该产品采用先进的超级结点技术，与前代产品 CFD2 系列相比实现了无缝升级。它的设计侧重于软开关应用，例如移相全桥转换器和 LLC 电路，可确保最佳性能。降低栅极电荷和最小反向恢复电荷等增强功能使该晶体管成为现代能源系统的首选解决方案。其紧凑型 PG HDSOP 22 封装可确保轻松集成到现有设计中，最大限度地提高功率密度，同时最大限度地降低安装复杂性。CoolMOS CFD7 还完全符合 JEDEC 工业应用标准，可确保在苛刻环境中的长期稳定性和可靠性。
针对软开关拓扑结构进行了优化
用于高速开关的超快体二极管
集成热管理延长使用寿命
专为提高效率的谐振拓扑而设计
设计紧凑，简化了 PCB 安装
在空间有限的情况下最大限度地提高功率密度
稳健的换向确保可靠运行
提高工业应用的可靠性标准