Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 99 A, PG-TSON-8, 表面安装, 8引脚, IQE022N06LM5CGSCATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-752
- 制造商零件编号:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-752
- 制造商零件编号:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 99A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-TSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 99A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-TSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 是一种功率晶体管，专为开关模式电源中的高性能而设计，可确保各种苛刻应用的可靠性。它采用 OptiMOS 5 系列设计，具有出色的效率和低导通电阻，是同步整流的理想选择。该产品采用无铅和符合 RoHS 规范的结构，不仅符合最新的环保标准，还能确保在各种条件下保持稳定的性能。这款晶体管具有先进的热管理功能和雪崩额定值，可确保在关键环境下更安全地运行并经久耐用。其逻辑级驱动能力可无缝集成到各种电子系统中，进一步体现了其多功能性和性能稳定性。
针对高效功率转换进行了优化
阻力小，性能更高
无铅设计符合环保要求
经过雪崩测试，可靠性更高
逻辑电平驱动简化了低压接口
热阻，实现高效热管理