Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 151 A, PG-WHSON-8, 表面安装, 8引脚, IQE022N06LM5SCATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-755
- 制造商零件编号:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB18.114 | RMB90.57 |
| 50 - 95 | RMB17.20 | RMB86.00 |
| 100 - 495 | RMB15.936 | RMB79.68 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-755
- 制造商零件编号:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 151A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-WHSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 151A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-WHSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 5 功率晶体管，是一款专为满足高级电源管理应用需求而设计的高效 MOSFET。这款功率晶体管的功率耗散能力使其能够在高强度条件下可靠运行，确保了最佳的效率和热管理。其结构不含铅，符合 RoHS 标准，可用于对生态环境敏感的应用，同时也不含卤素，增强了其在各个领域的适应性。它完全符合 JEDEC 工业应用标准，是工程师寻求可靠、高性能解决方案时值得信赖的元件。
优化电源管理
支持 SMPS 中的同步整流
兼容逻辑电平的 N 通道
热阻极低，热性能极佳
卓越的耐热性能确保可靠性
100% 经过雪崩测试，确保运行
符合环境法规
工业用途的全面验证