Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 132 A, PG-WHTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQE030N06NM5CGSCATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-758P
- 制造商零件编号:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB17.20 |
| 100 - 495 | RMB15.936 |
| 500 - 995 | RMB14.67 |
| 1000 + | RMB14.126 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-758P
- 制造商零件编号:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 132A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PG-WHTFN-9 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 132A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PG-WHTFN-9 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 功率晶体管是尖端技术和性能的典范，专为在要求苛刻的应用中高效运行而设计。它针对同步整流进行了优化，确保了出色的热管理和可靠性，是各种工业用途的理想选择。它以 OptiMOS 5 平台为基础，可在 60V 范围内有效运行，同时保持紧凑的尺寸。其坚固的设计有利于高效开关，在确保高性能的同时最大限度地减少损耗。
卓越的耐热性能确保可靠性
无铅电镀符合环保要求
100% 雪崩测试，确保性能
出色的栅极电荷，提高开关效率
符合无卤素标准
适用于严格的工业应用