Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 99 A, PG-WHTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQE046N08LM5CGSCATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-765
- 制造商零件编号:
- IQE046N08LM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB19.01 | RMB95.05 |
| 50 - 95 | RMB18.056 | RMB90.28 |
| 100 - 495 | RMB16.734 | RMB83.67 |
| 500 - 995 | RMB15.39 | RMB76.95 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-765
- 制造商零件编号:
- IQE046N08LM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 99A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PG-WHTFN-9 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 99A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PG-WHTFN-9 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 5 功率晶体管，可为要求苛刻的应用提供高效率和高可靠性。这款 N 沟道 MOSFET 专注于优化开关模式电源的性能，在同步整流任务中表现出色。它具有先进的散热特性，可确保出色的散热性能和超低的导通电阻，即使在严格的电气要求下也能有效运行。该元件通过了 JEDEC 工业应用标准的广泛验证，确保专业用户放心使用。该晶体管是工业电源电路的理想之选，具有强大的雪崩额定值，可确保在高应力情况下的恢复能力，是未来电源管理系统的明智之选。
针对高性能 SMPS 进行了优化
低压系统的逻辑电平控制
100% 经过雪崩测试，可靠性高
环保无卤设计
符合现代标准的无铅电镀
符合 RoHS 规范，使用安全
卓越的耐热性，经久耐用