制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=99 A, 8针, PG-WHSON-8, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 284-768
制造商零件编号:: IQE046N08LM5SCATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=99 A, 8针, PG-WHSON-8, OptiMOS系列

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100 - 495	RMB19.502	RMB97.51
500 - 995	RMB17.936	RMB89.68
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RS 库存编号:: 284-768
制造商零件编号:: IQE046N08LM5SCATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	99A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	PG-WHSON-8
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	4.6mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	100W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	19nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 99A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 PG-WHSON-8
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 4.6mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 100W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IQE046N08LM5SCATMA1

英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 5 功率晶体管，旨在为高效应用提供卓越的性能和可靠性。这款创新型 MOSFET 专为开关模式电源中的同步整流而设计，集成了先进的热管理功能，可确保出色的散热性能。它采用逻辑电平 N 沟道配置，导通电阻极低，即使在高温条件下也能保证高效运行。该元件符合严格的行业标准，同时具有强大的雪崩保护功能，是要求高电流处理能力和环境韧性的工业应用的首选。

针对高性能开关进行了优化

低电阻可提高能效

耐用的热性能

经过雪崩测试，可靠性高

无铅电镀符合 RoHS 标准

无卤素，符合环保要求

适用于严格的工业应用

结构紧凑，易于集成

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=99 A, 8针, PG-WHSON-8, OptiMOS系列

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