Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 99 A, PG-WHSON-8, 表面安装, 8引脚, IQE046N08LM5SCATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-768P
- 制造商零件编号:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB18.056 |
| 100 - 495 | RMB16.734 |
| 500 - 995 | RMB15.39 |
| 1000 + | RMB14.826 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-768P
- 制造商零件编号:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 99A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-WHSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 99A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-WHSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 5 功率晶体管，旨在为高效应用提供卓越的性能和可靠性。这款创新型 MOSFET 专为开关模式电源中的同步整流而设计，集成了先进的热管理功能，可确保出色的散热性能。它采用逻辑电平 N 沟道配置，导通电阻极低，即使在高温条件下也能保证高效运行。该元件符合严格的行业标准，同时具有强大的雪崩保护功能，是要求高电流处理能力和环境韧性的工业应用的首选。
针对高性能开关进行了优化
低电阻可提高能效
耐用的热性能
经过雪崩测试，可靠性高
无铅电镀符合 RoHS 标准
无卤素，符合环保要求
适用于严格的工业应用
结构紧凑，易于集成