Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 99 A, PG-WHTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQE050N08NM5CGSCATMA1, OptiMOS系列
- RS Stock No.:
- 284-771
- Mfr. Part No.:
- IQE050N08NM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Bulk discount available
Subtotal (1 pack of 5 units)*
¥95.05
(exc. VAT)
¥107.40
(inc. VAT)
库存信息目前无法查询
Units | Per unit | Per Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB19.01 | RMB95.05 |
| 50 - 95 | RMB18.056 | RMB90.28 |
| 100 - 495 | RMB16.734 | RMB83.67 |
| 500 - 995 | RMB15.39 | RMB76.95 |
| 1000 + | RMB14.826 | RMB74.13 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 284-771
- Mfr. Part No.:
- IQE050N08NM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 99A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PG-WHTFN-9 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.0mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 99A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PG-WHTFN-9 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.0mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 功率晶体管是要求高效率和高可靠性应用的理想选择。这款 N 沟道器件针对同步整流进行了优化，属于 OptiMOS 5 系列，以其强大的热性能和低导通电阻而闻名。该设备可在高达 80V 的电压下有效工作，因此适用于各种工业应用。该产品具有 100% 雪崩测试和符合 RoHS 标准的无铅设计等特点，在制造过程中体现了安全性和可持续性。它的小尺寸和高性能体现在先进的设计上，确保了卓越的散热特性，为旨在提高整体系统效率的设计人员提供了一个绝佳的选择。
针对同步整流进行了优化
N 通道便于电路集成
低导通电阻减少了功率损耗
耐热性强，可靠性高
经过雪崩测试，可在极端条件下使用
无铅电镀，确保安全
无卤素结构符合 IEC 标准
符合 JEDEC 行业标准