Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 99 A, PG-WHTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQE050N08NM5CGSCATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-771P
- 制造商零件编号:
- IQE050N08NM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-771P
- 制造商零件编号:
- IQE050N08NM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 99A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PG-WHTFN-9 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.0mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 99A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PG-WHTFN-9 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.0mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 功率晶体管是要求高效率和高可靠性应用的理想选择。这款 N 沟道器件针对同步整流进行了优化，属于 OptiMOS 5 系列，以其强大的热性能和低导通电阻而闻名。该设备可在高达 80V 的电压下有效工作，因此适用于各种工业应用。该产品具有 100% 雪崩测试和符合 RoHS 标准的无铅设计等特点，在制造过程中体现了安全性和可持续性。它的小尺寸和高性能体现在先进的设计上，确保了卓越的散热特性，为旨在提高整体系统效率的设计人员提供了一个绝佳的选择。
针对同步整流进行了优化
N 通道便于电路集成
低导通电阻减少了功率损耗
耐热性强，可靠性高
经过雪崩测试，可在极端条件下使用
无铅电镀，确保安全
无卤素结构符合 IEC 标准
符合 JEDEC 行业标准