制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=99 A, 8针, PG-WHSON-8, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 284-774
制造商零件编号:: IQE050N08NM5SCATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=99 A, 8针, PG-WHSON-8, OptiMOS系列

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500 - 995	RMB17.418	RMB87.09
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RS 库存编号:: 284-774
制造商零件编号:: IQE050N08NM5SCATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	99A
	最大漏源电压 Vd	80V
	系列	OptiMOS
	包装类型	PG-WHSON-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	5mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	100W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	35nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.1V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 99A
	最大漏源电压 Vd 80V
	系列 OptiMOS
	包装类型 PG-WHSON-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 5mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 100W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.1V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IQE050N08NM5SCATMA1

英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 5 功率晶体管，额定电压为 80V，专为提高现代电子应用的效率和性能而设计。它能提供出色的同步整流，确保将能源损耗降至最低，并最大限度地提高整个系统的可靠性。该晶体管具有低导通电阻和出色的热管理性能，是要求苛刻的工业应用的理想之选，也是工程师优化性能的首选。它通过了广泛的雪崩测试，结构坚固，可在恶劣环境中经久耐用，并符合全球 RoHS 标准，确保了对安全和可持续发展的坚定承诺。

针对同步整流进行了优化

N 通道便于电路集成

低电阻可减少发热

出色的耐热性可防止过热

100% 经过雪崩测试，可靠性高

无铅电镀实现环保生产

无卤素结构符合法规要求

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=99 A, 8针, PG-WHSON-8, OptiMOS系列

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