Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 99 A, PG-WHSON-8, 表面安装, 8引脚, IQE050N08NM5SCATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-774
- 制造商零件编号:
- IQE050N08NM5SCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 100 - 495 | RMB16.734 | RMB83.67 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-774
- 制造商零件编号:
- IQE050N08NM5SCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 99A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-WHSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 99A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-WHSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 5 功率晶体管，额定电压为 80V，专为提高现代电子应用的效率和性能而设计。它能提供出色的同步整流，确保将能源损耗降至最低，并最大限度地提高整个系统的可靠性。该晶体管具有低导通电阻和出色的热管理性能，是要求苛刻的工业应用的理想之选，也是工程师优化性能的首选。它通过了广泛的雪崩测试，结构坚固，可在恶劣环境中经久耐用，并符合全球 RoHS 标准，确保了对安全和可持续发展的坚定承诺。
针对同步整流进行了优化
N 通道便于电路集成
低电阻可减少发热
出色的耐热性可防止过热
100% 经过雪崩测试，可靠性高
无铅电镀实现环保生产
无卤素结构符合法规要求