Infineon , 1 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, PG-TSON-8, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 6 Power Transistor系列, ISC030N12NM6ATMA1
- RS 库存编号:
- 284-782
- 制造商零件编号:
- ISC030N12NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- ISC030N12NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 系列 | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| 包装类型 | PG-TSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
系列 OptiMOS 6 Power Transistor | ||
包装类型 PG-TSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 是最先进的功率晶体管，专为高频开关应用而设计，具有卓越的性能和效率。这款 N 沟道 MOSFET 经过优化，适用于各种工业应用，即使在苛刻的条件下也能确保最高的可靠性。它具有低导通电阻和出色的栅极电荷特性，可提高同步整流和功率转换系统的性能。该设备可在高温下高效运行，因此适用于各行各业的各种应用。其紧凑型 PG TSON 8 3 封装进一步节省了设计空间，同时确保了卓越的散热性能，是寻求高质量电源管理解决方案的工程师的首选。
极低的导通电阻可将功率损耗降至最低
效率高，栅极电荷出色
高频应用中的无缝运行
雪崩能量等级高，经久耐用
有效工作温度可达 175°C
符合 RoHS 安全标准
用于灵活搬运的 MSL 1 级分类
优化同步整流性能