Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, -22 A, PG-TDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISC16DP15LMATMA1, OptiMOS Power Transistor系列
- RS 库存编号:
- 284-786
- 制造商零件编号:
- ISC16DP15LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- ISC16DP15LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -22A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | OptiMOS Power Transistor | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 160mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 188W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -22A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 OptiMOS Power Transistor | ||
包装类型 PG-TDSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 160mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 188W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 功率晶体管，旨在为各种工业应用提供卓越的性能。它采用先进的 P 通道结构和坚固的构造，即使在苛刻的条件下也能确保可靠性。这款晶体管的击穿电压高达 150 V，可有效处理高电压。其低导通电阻有助于提高效率，是电源管理系统中的重要元件。该晶体管符合 RoHS 标准，进一步强调了其对环境可持续发展的承诺，是具有前瞻性的项目的绝佳选择。
电阻极低，效率极高
100% 经过雪崩测试，可靠性高
逻辑电平栅极驱动兼容性
出色的散热性能可减少热量
符合 RoHS 规范，实现环保
符合 JEDEC 可靠性标准
设计紧凑，配置灵活
无卤素镀铅，确保环境安全