Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 24 A, PG-TSDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISZ330N12LM6ATMA1, OptiMOS 6 Power Transistor系列
- RS 库存编号:
- 284-796
- 制造商零件编号:
- ISZ330N12LM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- ISZ330N12LM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 包装类型 | PG-TSDSON-8 | |
| 系列 | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 43W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 24A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
包装类型 PG-TSDSON-8 | ||
系列 OptiMOS 6 Power Transistor | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 33mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 43W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 专为满足现代电子应用的严格要求而设计，具有最佳的效率和可靠性。先进的 OptiMOS 6 技术使该元件能够在各种工作条件下提供卓越的性能，确保其始终是工程师和开发人员的首选。其坚固耐用的设计体现了高开关速度和低导通电阻之间的平衡，是同步整流和电源管理等高频应用的理想之选。该晶体管特别适用于工业环境，其热额定值可支持大工作范围和重负荷循环。
针对高频开关进行了优化
无铅电镀符合标准
无卤素，实现环境可持续性
通过 MSL 1 认证，装配可靠
热效率高，导通电阻低
出色的栅极电荷，可加快开关速度
完全符合 JEDEC 标准