Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, -19.5 A, PG-TSDSON-8FL, 表面安装, 8引脚, ISZ810P06LMATMA1, OptiMOS Power Transistor系列
- RS 库存编号:
- 284-806P
- 制造商零件编号:
- ISZ810P06LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- ISZ810P06LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -19.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PG-TSDSON-8FL | |
| 系列 | OptiMOS Power Transistor | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 81mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -19.5A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PG-TSDSON-8FL | ||
系列 OptiMOS Power Transistor | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 81mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 是一种先进的功率晶体管，具有卓越的性能和可靠性，是要求苛刻的工业应用的理想选择。英飞凌 OptiMOS 功率晶体管系列具有低导通电阻特性，能效出众，可确保将工作期间的能量损耗降至最低。其坚固耐用的设计完全符合 JEDEC 标准，让寻求耐用元件的工程师高枕无忧。它的工作电压为 60V，专为高性能应用而设计，同时保持低热阻，实现有效的热管理。
P 通道配置优化了电流控制
逻辑电平兼容性，便于接口连接
经过雪崩测试，可在压力下确保可靠性
无铅电镀符合环保要求
无卤素结构支持清洁生产
增强热特性，实现稳定运行
高连续漏极电流，适用于各种应用