Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=1200V, 25A, AG-EASY1B, 23引脚, EasyPACK系列
- RS 库存编号:
- 284-809P
- 制造商零件编号:
- DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 284-809P
- 制造商零件编号:
- DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 25A | |
| 最大漏源电压 | 1200V | |
| 系列 | EasyPACK | |
| 封装类型 | AG-EASY1B | |
| 引脚数目 | 23 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 3 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 25A | ||
最大漏源电压 1200V | ||
系列 EasyPACK | ||
封装类型 AG-EASY1B | ||
引脚数目 23 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 3 | ||
晶体管材料 SiC | ||
英飞凌 MOSFET 模块是最先进的功率半导体解决方案，专为提高高性能应用的效率而设计。它采用先进的 CoolSiC 沟槽 MOSFET 技术，确保了出色的功率处理能力和可靠性。该模块采用专为苛刻工业环境量身定制的坚固设计，可在太阳能应用及其他应用中实现无缝集成和强大性能。集成的 NTC 温度传感器进一步增强了运行安全性，确保在多变条件下实现最佳性能。该产品是工程师和开发人员的理想选择，可简化复杂的系统，同时保持卓越的运行性能。
1200 V 额定电压确保高压可靠性
高电流密度实现了紧凑型设计
采用 PressFIT 技术实现安全连接
用于温度监测的集成式 NTC 传感器
坚固的夹具确保安全安装
符合 IEC 标准的工业应用要求
高电流密度实现了紧凑型设计
采用 PressFIT 技术实现安全连接
用于温度监测的集成式 NTC 传感器
坚固的夹具确保安全安装
符合 IEC 标准的工业应用要求