Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 50 A, AG-EASY1B, 螺钉接线端子安装, 23引脚, FF17MR12W1M1HB11BPSA1, EasyDUAL系列
- RS 库存编号:
- 284-822P
- 制造商零件编号:
- FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- 284-822P
- 制造商零件编号:
- FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | AG-EASY1B | |
| 系列 | EasyDUAL | |
| 安装类型 | 螺钉接线端子 | |
| 引脚数目 | 23 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 34.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 5.35V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.149 | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 AG-EASY1B | ||
系列 EasyDUAL | ||
安装类型 螺钉接线端子 | ||
引脚数目 23 | ||
最大漏源电阻 Rd 34.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 5.35V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.149 | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 模块代表了功率半导体技术的重大进步，旨在满足高频开关应用的严格要求。这一创新模块采用了 CoolSiC 沟槽 MOSFET，具有无与伦比的效率和可靠性。它采用专为工业应用定制的坚固设计，可确保较低的开关损耗和出色的散热性能。集成的 PressFIT 接触技术简化了安装过程，同时保持了安全连接。该模块是 DC/DC 转换器和 UPS 系统等应用的理想选择，其紧凑耐用的结构彻底改变了能源管理。
低电感设计优化了动态性能
集成温度传感器，提高安全性
坚固的安装确保了在苛刻环境中的可靠性
符合 IEC 标准的工业应用要求
电动汽车直流充电的理想选择
利用 PressFIT 技术简化安装