Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=2000 V, 123 A, PG-TO247-4-plus-NT14, 通孔安装, 4引脚, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET系列
- RS 库存编号:
- 284-861
- 制造商零件编号:
- IMYH200R012M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 284-861
- 制造商零件编号:
- IMYH200R012M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 123 A | |
| 最大漏源电压 | 2000 V | |
| 系列 | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| 封装类型 | PG-TO247-4-plus-NT14 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 123 A | ||
最大漏源电压 2000 V | ||
系列 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
封装类型 PG-TO247-4-plus-NT14 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
英飞凌 CoolSiC 2000 V SiC 沟槽 MOSFET 是专为要求苛刻的应用而设计的高性能元件。它采用先进的碳化硅技术，具有卓越的效率和散热性能，是现代电力系统的理想之选。该设备具有坚固的结构和创新功能，可确保各种应用的可靠性，包括组串逆变器、太阳能发电优化和电动汽车充电。精心设计的 MOSFET 最适合高压环境，为工业和商业应用提供了卓越的运行优势。其先进的互联技术进一步提升了其在市场上的声誉，延长了器件的使用寿命，增强了电源管理能力。
开关损耗低，效率高
用于硬换向的坚固体二极管
控制基准栅极阈值电压
极低的导电状态电阻
高热阻可最大限度地减少过热
适用于高达 2000 V 的高压
用于硬换向的坚固体二极管
控制基准栅极阈值电压
极低的导电状态电阻
高热阻可最大限度地减少过热
适用于高达 2000 V 的高压