Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=2000 V, 60 A, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, 通孔安装, 4引脚, IMYH200R012M1HXKSA1, CoolSiC 2000 V SiC

RS 库存编号:: 284-861P
制造商零件编号:: IMYH200R012M1HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=2000 V, 60 A, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, 通孔安装, 4引脚, IMYH200R012M1HXKSA1, CoolSiC 2000 V SiC

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制造商零件编号:: IMYH200R012M1HXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	60A
	最大漏源电压 Vd	2000V
	系列	CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
	包装类型	PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	通道模式	增强
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS Compliant
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 60A
	最大漏源电压 Vd 2000V
	系列 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
	包装类型 PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	通道模式增强
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS Compliant
	汽车标准否

Datasheet - IMYH200R012M1HXKSA1

COO (Country of Origin):: MY

英飞凌 CoolSiC 2000 V SiC 沟槽 MOSFET 是专为要求苛刻的应用而设计的高性能元件。它采用先进的碳化硅技术，具有卓越的效率和散热性能，是现代电力系统的理想之选。该设备具有坚固的结构和创新功能，可确保各种应用的可靠性，包括组串逆变器、太阳能发电优化和电动汽车充电。精心设计的 MOSFET 最适合高压环境，为工业和商业应用提供了卓越的运行优势。其先进的互联技术进一步提升了其在市场上的声誉，延长了器件的使用寿命，增强了电源管理能力。

开关损耗低，效率高

用于硬换向的坚固体二极管

控制基准栅极阈值电压

极低的导电状态电阻

高热阻可最大限度地减少过热

适用于高达 2000 V 的高压

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=2000 V, 60 A, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, 通孔安装, 4引脚, IMYH200R012M1HXKSA1, CoolSiC 2000 V SiC

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