Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=2000 V, 60 A, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, 通孔安装, 4引脚, IMYH200R012M1HXKSA1, CoolSiC 2000 V SiC
- RS 库存编号:
- 284-861P
- 制造商零件编号:
- IMYH200R012M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB1,179.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-861P
- 制造商零件编号:
- IMYH200R012M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 2000V | |
| 系列 | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| 包装类型 | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 2000V | ||
系列 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
包装类型 PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
英飞凌 CoolSiC 2000 V SiC 沟槽 MOSFET 是专为要求苛刻的应用而设计的高性能元件。它采用先进的碳化硅技术，具有卓越的效率和散热性能，是现代电力系统的理想之选。该设备具有坚固的结构和创新功能，可确保各种应用的可靠性，包括组串逆变器、太阳能发电优化和电动汽车充电。精心设计的 MOSFET 最适合高压环境，为工业和商业应用提供了卓越的运行优势。其先进的互联技术进一步提升了其在市场上的声誉，延长了器件的使用寿命，增强了电源管理能力。
开关损耗低，效率高
用于硬换向的坚固体二极管
控制基准栅极阈值电压
极低的导电状态电阻
高热阻可最大限度地减少过热
适用于高达 2000 V 的高压