Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=2000 V, 89 A, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, 通孔安装, 4引脚, IMYH200R024M1HXKSA1, CoolSiC 2000 V SiC
- RS 库存编号:
- 284-862
- 制造商零件编号:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 管，共 30 件）*
¥19,147.83
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 + | RMB638.261 | RMB19,147.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-862
- 制造商零件编号:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 89A | |
| 最大漏源电压 Vd | 2000V | |
| 包装类型 | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| 系列 | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 35mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 137nC | |
| 最大功耗 Pd | 576W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 89A | ||
最大漏源电压 Vd 2000V | ||
包装类型 PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
系列 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 35mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 137nC | ||
最大功耗 Pd 576W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
英飞凌 CoolSiC 2000 V SiC 沟槽 MOSFET 是专为高性能应用而设计的尖端解决方案。它采用先进的 .XT 互联技术，可确保最佳的热管理和效率，是苛刻环境的理想选择。凭借坚固的体二极管，这款 MOSFET 可在困难的换向条件下发挥出色的性能，为包括组串逆变器和电动汽车充电系统在内的各种应用提供可靠的运行。其令人印象深刻的规格（包括高达 89 A 的连续漏极电流）凸显了其处理大功率负载的能力，而低开关损耗则有助于提高整体系统效率。该设备经过严格的工业应用验证，确保符合行业标准和可靠性。
工作电压高达 2000 V
极低的状态电阻，提高效率
性能基准栅极阈值电压
采用精心设计的体二极管，运行稳健
通过 JEDEC 测试验证可用于工业用途
通过设计支持最佳散热性能