产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	45A
	最大漏源电压	650 V
	系列	650V CoolMOS
	封装类型	PG-HDSOP-22
	安装类型	贴片
	引脚数目	22
	通道模式	增强
	每片芯片元件数目	1
	晶体管材料	SiC

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 45A
	最大漏源电压 650 V
	系列 650V CoolMOS
	封装类型 PG-HDSOP-22
	安装类型贴片
	引脚数目 22
	通道模式增强
	每片芯片元件数目 1
	晶体管材料 SiC

Datasheet - IPDQ65R060CFD7XTMA1

英飞凌 MOSFET 采用的 650V CoolMOS CFD7 是一种先进的功率器件，旨在提高谐振开关拓扑结构的效率。这款创新型 MOSFET 扩展了其前代产品的功能，具有卓越的热性能和更好的开关特性。CoolMOS CFD7 采用快速体二极管技术，可确保在要求苛刻的应用中实现卓越的可靠性和坚固性。它非常适合工业开关电源，尤其是移相全桥和 LLC 应用。该产品兼具高功率密度和出色的效率，是工程师在电信、太阳能和电动汽车充电系统等领域提升设计水平的首选。

超高速体二极管提高了整体效率
坚固耐用，实现可靠的硬换向
性能超过严格的可靠性标准
将开关损耗降至最低，实现卓越运行
为升高的总线电压提供强大的安全裕度
为工业提供卓越的轻载效率
支持先进的低电阻热管理

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 45A, PG-HDSOP-22, 贴片安装, 22引脚, 650V CoolMOS系列