Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 45A, PG-HDSOP-22, 贴片安装, 22引脚, 650V CoolMOS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
284-877
制造商零件编号:
IPDQ65R060CFD7XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

45A

最大漏源电压

650 V

封装类型

PG-HDSOP-22

系列

650V CoolMOS

安装类型

贴片

引脚数目

22

通道模式

增强

晶体管材料

SiC

每片芯片元件数目

1

英飞凌 MOSFET 采用的 650V CoolMOS CFD7 是一种先进的功率器件,旨在提高谐振开关拓扑结构的效率。这款创新型 MOSFET 扩展了其前代产品的功能,具有卓越的热性能和更好的开关特性。CoolMOS CFD7 采用快速体二极管技术,可确保在要求苛刻的应用中实现卓越的可靠性和坚固性。它非常适合工业开关电源,尤其是移相全桥和 LLC 应用。该产品兼具高功率密度和出色的效率,是工程师在电信、太阳能和电动汽车充电系统等领域提升设计水平的首选。

超高速体二极管提高了整体效率
坚固耐用,实现可靠的硬换向
性能超过严格的可靠性标准
将开关损耗降至最低,实现卓越运行
为升高的总线电压提供强大的安全裕度
为工业提供卓越的轻载效率
支持先进的低电阻热管理