Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=600V, 12A, PG-HDSOP-22, 贴片安装, 22引脚, 600V CoolMOS系列

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RS 库存编号:
284-896
制造商零件编号:
IPQC60R040S7XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

12A

最大漏源电压

600V

系列

600V CoolMOS

封装类型

PG-HDSOP-22

安装类型

贴片

引脚数目

22

通道模式

增强

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

SiC

英飞凌 MOSFET 是一种先进的 600V MOSFET,专为高效低频开关应用而设计。该功率器件采用 CoolMOS S7 技术,具有卓越的性价比,是固态继电器和断路器设计的最佳选择。其令人印象深刻的 RDS(on)值最大程度地减少了传导损耗,在一系列大电流应用中提高了能效。这款 MOSFET 完全符合 JEDEC 标准,可确保在工业环境中的可靠性。

占地面积小,设计灵活
卓越的脉冲电流能力
开尔文源引脚提高了大电流性能
符合 MSL1 标准,装配可靠
减少传导损耗,加强热管理
可靠性高,使用寿命长
专为恶劣环境条件设计