Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 63 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT65R040CFD7XTMA1, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power
- RS 库存编号:
- 284-900P
- 制造商零件编号:
- IPT65R040CFD7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-900P
- 制造商零件编号:
- IPT65R040CFD7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 63A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 347W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 97nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 63A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 40mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 347W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 97nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC | ||
英飞凌 MOSFET 是专为高效开关应用而设计的尖端 MOSFET。该产品具有卓越的散热性能，非常适合在服务器和电信行业等要求苛刻的环境中使用。凭借其创新的 CoolMOS CFD7 技术，它有望实现出色的可靠性和效率，特别是在谐振开关拓扑结构中，包括 LLC 和移相全桥应用。这款 MOSFET 在上一代产品的基础上进行了改进，具有更强的开关能力和更低的导通电阻，从而优化了功率密度，提高了设计的整体效率。该器件专为满足严格的工业应用标准而设计，具有出色的硬换向坚固性，同时在宽广的温度范围内保持卓越的性能。
超快体二极管可最大限度地减少开关损耗
同类最佳的 RDS(on)，提高效率
抗硬换向，确保可靠性
处理更高的总线电压，确保安全
针对紧凑型设计中的高功率密度进行了优化
在工业 SMPS 应用的轻负载条件下表现出色