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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	28A
	最大漏源电压	650 V
	系列	650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
	封装类型	PG-HSOF-8
	安装类型	贴片
	引脚数目	8
	通道模式	增强
	晶体管材料	SiC
	每片芯片元件数目	1

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 28A
	最大漏源电压 650 V
	系列 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
	封装类型 PG-HSOF-8
	安装类型贴片
	引脚数目 8
	通道模式增强
	晶体管材料 SiC
	每片芯片元件数目 1

Datasheet - IPT65R099CFD7XTMA1

英飞凌 MOSFET 采用先进的 650V CoolMOS CFD7 功率器件，专为在谐振开关拓扑（包括 LLC 和移相全桥应用）中实现卓越性能而设计。该产品注重提高效率和散热性能，是服务器、电信系统和电动汽车充电等高要求应用的理想解决方案。快速体二极管的加入提高了可靠性，尤其是在快速开关情况下。作为成熟的 CFD2 系列的进化版，这款创新型 MOSFET 利用出色的开关特性，增强了对硬换向事件的稳健性。其设计不仅在效率和散热性能方面达到而且超过了行业标准，是高功率密度解决方案的重要组件。

超快体二极管，实现高速性能
最大限度减少开关损耗，优化能源利用
坚固耐用，提高安全性
针对工业 SMPS 应用进行了优化
完全通过 JEDEC 工业环境认证
支持高功率密度，适用于紧凑型设计
专为相移全桥集成而设计

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 28A, PG-HSOF-8, 贴片安装, 8引脚, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device系列