Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 23A, PG-HSOF-8, 贴片安装, 8引脚, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device系列
- RS 库存编号:
- 284-910
- 制造商零件编号:
- IPT65R125CFD7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 284-910
- 制造商零件编号:
- IPT65R125CFD7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 23A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| 封装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 23A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
封装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 SiC | ||
英飞凌 MOSFET 是一种尖端 MOSFET，旨在提高要求苛刻的应用中的功率效率。该器件具有业界领先的开关性能，采用 PG HSOF 8 封装，优化了热管理并最大限度地提高了运行可靠性。它的击穿电压高达 650V，专为处理高功率密度而设计，是 LLC 和移相全桥转换器等谐振开关拓扑结构的重要元件。它不仅符合严格的效率和可靠性标准，还支持需要在各种工作温度下提高功率裕量和增强性能的设计。
超高速体二极管提高了性能
降低开关损耗，提高能效
坚固耐用，可满足苛刻的应用要求
支持更高的总线电压，以确保安全
出色的轻载效率，适用于工业用途
降低开关损耗，提高能效
坚固耐用，可满足苛刻的应用要求
支持更高的总线电压，以确保安全
出色的轻载效率，适用于工业用途