Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 19 A, PG-HSOF-8, 贴片安装, 8引脚, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device系列
- RS 库存编号:
- 284-913
- 制造商零件编号:
- IPT65R155CFD7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
不可供应
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- RS 库存编号:
- 284-913
- 制造商零件编号:
- IPT65R155CFD7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 19 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| 封装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 19 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
封装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
英飞凌 MOSFET 功率器件采用先进的 coolMOS 技术，重新定义了高压应用的效率和性能。它专为谐振开关拓扑结构而设计，具有出色的开关能力，可确保显著节能并改善热管理。最新推出的产品扩展了电压等级选项，是前几款产品当之无愧的继任者。其超高速体二极管与卓越的硬换向稳健性相结合，使该器件成为满足严格工业要求的最佳选择，尤其是在电信和电动汽车充电等领域。
超高速体二极管提高了运行效率
高击穿电压确保更高的安全性
同类最佳的 RDS(on) 降低了传导损耗
出色的轻载性能提高了效率
针对服务器和太阳能应用进行了优化
高击穿电压确保更高的安全性
同类最佳的 RDS(on) 降低了传导损耗
出色的轻载性能提高了效率
针对服务器和太阳能应用进行了优化