Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 610 A, PG-TTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQD005N04NM6CGATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-926P
- 制造商零件编号:
- IQD005N04NM6CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 198 | RMB26.265 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-926P
- 制造商零件编号:
- IQD005N04NM6CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 610A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PG-TTFN-9 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.47mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 333W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 129nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 610A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PG-TTFN-9 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.47mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 333W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 129nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 6 功率晶体管，性能卓越，可靠性高，是要求苛刻应用的首选。这款 N 沟道 MOSFET 专为工业环境而设计，可提供 40V 的最大漏极源极电压和高达 610A 的惊人连续漏极额定电流。这种半导体器件在热管理方面表现出色，是高温和高功率环境下的理想选择，有助于延长使用寿命，并在负载条件下保持稳定的性能。它致力于环保，符合 RoHS 规范，不含卤素，符合现代环保标准，同时提供卓越的工程质量。
出色的耐热性能确保可靠性
在高压力环境下性能稳定
100% 通过雪崩安全测试
卓越的电源管理效率
符合环境法规
高频运行时开关损耗最小
设计紧凑，可减少 PCB 空间
易于集成到工业系统中