Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 445 A, PG-TTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQD009N06NM5CGATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-929
- 制造商零件编号:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 200 - 998 | RMB25.295 | RMB50.59 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-929
- 制造商零件编号:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 445A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-TTFN-9 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 333W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 445A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-TTFN-9 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 333W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 5 功率晶体管，专为各种应用中的高效性能而设计，可在最大电压为 60V 时稳定工作。这款 N 沟道 MOSFET 具有低导通电阻的特点，可显著降低功率损耗，确保您的设计即使在苛刻的条件下也能保持最佳的热管理。该器件具有先进的雪崩特性，并经过广泛的可靠性测试，可满足工业应用对卓越热阻和稳健性能的要求。PG TTFN 9 采用紧凑型封装，更易于集成到现有设计中，是工程师改进系统的首选。
极低的导通电阻提高了效率
增强热阻，提高性能
针对连续电流和脉冲电流进行了优化
全面的雪崩评级，经久耐用
符合 RoHS 和无卤素标准
完全符合 JEDEC 标准
显著降低功耗
灵活的温度范围，适用于各种环境