Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 323 A, PG-TTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQD016N08NM5CGATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-932
- 制造商零件编号:
- IQD016N08NM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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| 200 - 998 | RMB26.22 | RMB52.44 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-932
- 制造商零件编号:
- IQD016N08NM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 323A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PG-TTFN-9 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.57mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 106nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 333W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 323A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PG-TTFN-9 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.57mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 106nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 333W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 5 功率晶体管，其先进的 N 沟道设计可提供卓越的性能。这种坚固耐用的元件非常适合高效率和低导通电阻的应用。它的击穿电压为 80V，可确保在苛刻的环境中可靠运行。这款功率晶体管具有出色的热阻特性，经得起严格的工业应用考验，是希望提高电源管理系统能效的工程师的首选解决方案。此外，广泛的验证过程可确保遵守可靠性和安全性的最高标准，从而确保您的设计既有性能又有弹性。
N 沟道实现高效功率传导
低导通电阻可最大限度地减少功率损耗
卓越的热管理，延长使用寿命
100% 通过雪崩测试，确保稳定性
无铅，符合 RoHS 标准
无卤素结构，确保安全
通过 JEDEC 工业应用认证