Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 273 A, PG-TTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQD020N10NM5CGATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-935
- 制造商零件编号:
- IQD020N10NM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 284-935
- 制造商零件编号:
- IQD020N10NM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 273A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PG-TTFN-9 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.05mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 333W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 273A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PG-TTFN-9 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.05mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 333W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 5 功率晶体管，是 MOSFET 技术的重大进步，专为要求苛刻的工业应用而量身定制。这款坚固耐用的晶体管可提供卓越的性能和出色的热管理，是需要高效能量转换和管理的系统的理想选择。该产品的额定电压为 100V，导通电阻极低，在保持低能量损耗的同时增强了功率处理能力。其可靠的性能还得到了广泛的验证，确保在各种运行条件下都能正常工作。
高效开关的 N 通道设计
低导通电阻可最大限度地减少功率损耗
出色的耐热性延长了使用寿命
100% 经过雪崩测试，可靠性高
符合 RoHS 规范，实现环保
无卤素材料，符合环保标准
可在高温环境下可靠运行